في تطبيقات الإلكترونيات وأشباه الموصلات، المزايا الرئيسية لـ SiC هي:
الموصلية الحرارية العالية 120-270 وات/متر كلفن
معامل التمدد الحراري منخفض 4.0x10^-6/ درجة
كثافة التيار القصوى العالية
إن الجمع بين هذه الخصائص الثلاث يمنح SiC موصلية كهربائية فائقة، وخاصة عند مقارنته بالسيليكون، وهو ابن عم SiC الأكثر شعبية. إن خصائص مادة SiC تجعلها مفيدة للغاية للتطبيقات عالية الطاقة حيث تكون هناك حاجة إلى تيار عالي ودرجة حرارة عالية وموصلية حرارية عالية.
في السنوات الأخيرة، أصبح SiC لاعباً رئيسياً في صناعة أشباه الموصلات، حيث يعمل على تشغيل MOSFETs وثنائيات Schottky ووحدات الطاقة للاستخدام في التطبيقات عالية الطاقة وعالية الأداء. وعلى الرغم من أنها أكثر تكلفة من MOSFETs السيليكونية، والتي تقتصر عادةً على جهد انهيار يبلغ 900 فولت، فإن SiC يسمح بجهد عتبة يبلغ حوالي 10 كيلو فولت.
كما أن SiC لديه خسائر تحويل منخفضة للغاية ويمكنه الحفاظ على ترددات تشغيل عالية، مما يسمح له بتحقيق كفاءة لا مثيل لها حتى الآن، وخاصة في التطبيقات التي تعمل بجهد أكبر من 600 فولت. عند الاستخدام الصحيح، يمكن لأجهزة SiC تقليل خسائر نظام المحول والعاكس بنحو 50٪، والحجم بنسبة 300٪، والتكلفة الإجمالية للنظام بنسبة 20٪. هذا الانخفاض في حجم النظام الإجمالي يجعل SiC مفيدًا للغاية في التطبيقات الحساسة للوزن والمساحة.
